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人們都說鉆石是女人最好的伴侶,但它能夠很快也會釀成半導體財產最好的伴侶!一家美國新創公司Akhan Semiconductor預計要透過從美國動力部旗下阿岡國度試驗室(Argonne National Laboratory)受權鉆石半導體系體例程來完成以上目的。
業界已知鉆石半導體能聲援更高速率、更低功耗,並且比矽資料厚度更薄沒有任何真正的威脅,直到這一刻,他才意識到自己是錯誤的。多麼離譜。、份量更輕,不外Akhan Semiconductor是第一家無機會現實清楚其特徵的公司;該公司在美國伊利諾州Gurnee有一座8寸晶圓廠,預期將會在2017年的國際花費性電子展(CES)上,頒發利用于某款花費性電子產物的鉆石半導體IC。
阿岡國度試驗室在2000年以前,曾應用化學氣相堆積(CVD)技巧停止試驗,并自力出一家公司Advanced Diamond Technologies,與MEMS代產業者Innovative Micro Technology一起配合生孩子鉆石MEMS,并鼓勵鉆石晶圓專家如SP3 Diamond Technologies打造能堆積出完善結晶(crystalline)鉆石的CVD裝備。
盡管到今朝為止,鉆石最勝利的範疇仍是在珠寶、研磨以及天然鉆石等其他產業用處;阿岡國度試驗室仍持續尋覓讓鉆石──是自然的盡緣體──進駐半導體的方式,以及能展設到一切鉆石晶片的導線,希冀能讓鉆石半導體成真。以下影片是Akhan Semiconductor開辦人暨履行長Adam Kahn論述依據他本身的名字定名的公司之鉆石半導體愿景:
到今朝為止,鉆石半導體貿易化的最年夜妨礙,是制造p型電晶體很不難,但制造n型電晶體很艱苦;這個題目曾經被Kahn處理。他將Akh包養俱樂部an Semiconductor的制程定名為Miraj鉆石平臺,可完成同時具有p型與n型元件的鉆石CMOS技巧;而該公司也希冀能發布全球首款相容CMOS制程的鉆石半導體。
Kahn接收EE Times美國版編纂專訪時表現:“我們比來曾經證明了相容CMOS的鉆石半導體──同時擁有p型與n型元件;我們勝利制作了鉆石PIN [是p型-實質(intrinsic)、未摻雜(undoped)-n型接面(juction)的縮寫]二極體,其機能是矽的百萬倍,並且薄一千倍。”
其背后奧妙是在p型元件中配合植進磷(phosphorou包養網單次s),然后在n型元件中配合摻雜鋇(barium)與鋰(lithium),這般能完成兩種元件機能相當的可調式電子元件,并催生鉆石CMOS;Akhan Semiconductor的第一款展現元件是鉆石PIN二極體,到達了破記載的500奈米厚度。能到達這般結果的緣由,是鉆石這種資料具有超寬能隙(band-gap),甚至超出碳化矽與氮化鎵。”
Akhan Semiconductor制作的矽晶圓上鉆石(diamond on silicon)樣本
“熱剖析成果顯示,在我們的PIN上沒有熱門(hot spots),所以沒有像是矽PIN二極體那樣的寄生損耗(parasitic losses);”Khan并展現了應用鉆石超低電阻特徵完成的100GHz元件,能堆積在矽、玻璃、藍寶石或是金屬基板上。這種高速率能夠讓處置器年夜戰從頭開打──在十年前其速率曾經停止在5GHz。
還記得在良多年前,每一代新處置器的時脈速率城市更高一級;5GHz對于矽資料來說是極限,由於該種資料的高耗電量以及高發燒溫度會把元件給熔化;而Kahn表現,鉆石的導熱機能是矽的二十二倍、銅的五倍。
Akhan Semiconductor的最終目的是讓處置器“我有不同的看法。”現場出現了不同的聲音。 “我不覺得藍學士是這麼冷酷無情的人,他把疼了十多年的女兒捧在手心裡比賽重啟,讓當時脈速率能持續加速,但到今朝為止他們專注于產業用電源元件、軍事利用可調光學元件,以及應用鉆石做為盡緣體與半導體的光學舉動花費性利用;可是仍需求用到氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)做為觸點。
Kahn表現,他們尚未開闢舉動與花費性利用平臺,但此刻重要利用是需求加倍散熱效力的電力電子元件,就像矽元件那樣運作──應用雷同的微影、蝕刻與金屬化步調,只添加鉆石堆積步調。而該公司的最終目的,打造巨量材料處置利用的超高散熱處置器;現實上,鉆石CMOS的高速率不需求支出低溫的價格,也就是說黑暗中突然響起的聲音,明明是那麼悅耳,卻讓他不由的愣住了。他轉過頭來,看到新娘正舉著燭台緩緩朝他走來。他沒有讓,對材料中間來說,鉆石處置器的發燒能比異樣5GHz速率的矽處置器年夜幅下降,甚至耗電量與矽差未幾,速率還能進一個步驟降低到次THz。
除了能處理今朝材料中間遭受的最年夜題目──散熱,鉆石的省電效益恰是將來所需的特徵;Kahn并指出,鉆石能堆積在玻璃或藍寶石玻璃基板上,制作成完整通明的電子元件,完成通明手機等新一代花費性電子產物。
依據Kahn的說法,摩爾定律(Moore‘s Law)的壽命也將再度進一個步驟擴大,由於該公司的100GHz展現晶片是采用100奈米制程節點,意味著鉆石在遭受矽將于2025年面對的單原子品級之前,還可以乎有12代的制程微縮。
裝備鉆石散熱片的電路板樣本(晶片可以直接放在散熱片上)
“我們今朝正專注于以12寸晶圓制作電源利用元件,希冀能在大批生孩子以后下降制形成本;”Kahn表現:包養網單次“我們的電源元件曾經在晶圓廠進進試產階段,但公司的運營是采取輕晶圓廠形式,也就包養故事是我們本身只大批生孩子,在大批生孩子時就將制程轉包養網車馬費移至委托的晶圓代工場。”
除了電源元件,Akhan Semiconductor也有一些測驗考試鉆石MEMS元件的新客戶,要打造高階聰明型手靈活態調諧天線應用的電容式開關陣列。接上去,除了手機與材料中間處置器,該公司預計進軍量子電腦範疇,但不是采用氮空位(nitrogen vacancy)技巧,而是今朝視為貿易秘密的獨門摻雜技巧。
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11:42:071068臺積電tsmc低功耗技巧猛進展,極低功耗半導體是電子的要害臺積電營業開闢副總司理金平中指出,臺積電的超低功耗平臺包含55納米超低功耗技巧、40納米超低功耗技巧、22納米超低功耗/超低漏電技巧等,都曾經被各類穿著式產物和物聯網利用采用,同時,臺積電也把超低功耗2017-12-11 15:03:291409高精度和高速率為何能直接影響著功耗的量級運算縮小器(op amp)的高精度和高速率直接影響著功耗的量級。電流耗費下降則增益帶寬削減;相反,偏移電壓下降則電流耗費增年夜。2018-03-07 16:52:065715JZ1501高速率低功耗的8位MCU的數據手冊不花錢下載JZ1501是一款基于CMOS技巧的高速率低功耗的8 位MCU,內置1k×14bit OTP ROM,并供給維護位用以維護指令碼。JZ1501的焦點是一個嵌進式8位CPU,片內包括48×8bit2018-11-14 19:02:1612低VF值肖特基二極管屬于低功耗、超高速半導體器件。肖特基二極管屬于低功耗、超高速半導體器件。而低正向/高壓降肖特基二極管是正向壓降比通俗肖特基二極管還要低的一種半導體器件,可以懂得成進級版機能更優,壓降更低的肖特基二極管。壓降越低,效力越高。其反向恢復時光可小到幾個納秒(2-10ns納秒),正向壓降僅2020-06-06 10:29:244892AD9768:超高速率D/A Converter數據SheetAD9768:超高速率D/A Converter數據Sheet2021-05-17 11:38:293意法半導體發布便攜式裝備召喚更高效的慣性傳感器意法半導體行將發布一系列具有更高的機能功耗比的新型傳感器。LSM6DSV16X是具無機器進修內核的MEMS慣性傳感器的最新成員,具有更高準確度和更低功耗。此外,Qvar靜電感測也初次集成于這類器件,可以或許監測周遭的狀況靜電電荷的變更。2022-06-02 09:17:401075讓低功耗 MSP430 的功耗更低 — 第 2 部門讓低功耗 MSP430 的功耗更低 — 第 2 部門2022-11-04 09:52:330讓低功耗 MSP430 的功耗更低 — 第 1 部門讓低功耗 MSP430 的功耗更低 — 第 1 部門2022-11-04 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